收藏本站
Typical Characteristics
10
100
8
I D = 0.17A
V DS = 30V
50V
80
C ISS
f = 1 MHz
V GS = 0 V
70V
6
4
60
40
2
0
20
0
C OSS
C RSS
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
0
20
40
60
80
100
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
1
R DS(ON) LIMIT
100 μ s
5
SINGLE PULSE
1ms
R θ JA = 350°C/W
0.1
10ms
100ms
1s
4
3
T A = 25°C
10s
DC
2
0.01
V GS = 10V
SINGLE PULSE
0.001
R θ JA = 350 o C/W
T A = 25 o C
1
0
1
10
100
1000
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
R θ JA = 350 C/W
D = 0.5
0.2
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
o
0.1
0.1
0.05
P(pk)
0.01
0.001
0.02
0.01
SINGLE PULSE
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1a.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
BSS123 Rev G(W)
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
BSS123TC MOSFET N-CHAN 100V SOT23-3
BSS123W-7 MOSFET N-CH 100V 170MA SC70-3
BSS127S-7 MOSFET N CH 600V 50MA SOT23
BSS138_L99Z MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23
BSS138DW-7 MOSFET DUAL N-CHAN 50V SC70-6
BSS138K MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23-3
BSS138LT1 MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23
BSS138TC MOSFET N-CHAN 50V SOT23-3
相关代理商/技术参数
BSS123_FAIRCHILD 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:
BSS123_NL 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
BSS123_Q 功能描述:MOSFET SOT-23 N-CH LOGIC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSS123215 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 100V 150MA 3-SOT-23
BSS123-7 功能描述:MOSFET 100V 360mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSS1237F 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
BSS123-7-F 功能描述:MOSFET 100V 360mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSS123-7-F-31 制造商:DIODES 功能描述:N-CHANNEL MOSFET / SOT-23 (LEAD FREE)